ssd nandflash必看介紹

市面簡稱『固態硬碟』不是很正確；傳統硬碟內有『碟片』是旋轉碟片來讀寫資料，但 SSD 都是『積體電路』，沒有磁片、內部機械零件作動，和硬碟原理也完全不同。 低容量部分，考量筆電128GB SSD入門級市場逐漸式微，微軟主導PC OEM導入價格占優勢，且速度媲美SATA介面的UFS為選項，長期也可能取代低容量消費級SSD用量。 不過TrendForce認為，由於近期SSD跌幅明顯，與UFS價差縮小，且平台主機尚無法原生支援UFS 3.1速度，故目前PC OEM認為UFS價格無明顯優勢，無太大導入誘因，須待價格優勢出現與平台主機開始原生支援後才有機會顯現。 本書是國內SSD領域的里程碑著作，由國內領先的SSD技術社區SSDFans的核心團隊撰寫。 團隊成員都是SSD領域的技術專家，來自SSD、NANDFlash和存儲行業的各大公司，精通固件開發、驅動開發、硬件邏輯開發和SSD測試等技術。 它從產品、技術和應用3個維度全面、詳細地講解了SSD的發展歷史、產品形態、工作原理、整體架構，以及各個功能模塊的原理和使用，從SSD的前端接口協議到FTL算法，再到後端的快閃內存和糾錯，本書都有涉及。

英特爾在 2008年發佈的一篇論文, 已經介紹了45nm 製程。 可是截至 2018年, 大約十年後的今天, 還是只有一兩個製造商可以提供45nm NOR FLASH產品。 不難看出，四種類型的NAND快閃記憶體顆粒效能各有不同。 SLC單位容量的成本相對於其他型別NAND快閃記憶體顆粒成本更高，但其資料保留時間更長、讀取速度更快；QLC擁有更大的容量和更低的成本，但由於其可靠性低、壽命短等缺點，仍有待後續發展。 與 DRAM 不同，它們的儲存格會隨著時間推移而磨損，因為寫入週期比讀取週期更為繁瑣。 NAND 儲存裝置的寫入週期數量是有限的，但始終保留在裝置上的快閃控制器所執行的磨損，可透過平均抹寫進行管理。

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這樣一來，單個MLC存儲晶片上可以增加最高32GB的存儲空間，而單個TLC存儲晶片可增加48GB。 這種類型的快閃記憶體由於其使用壽命，準確性和綜合性能，在企業市場上十分受眾。 但由於儲存成本高、存儲容量相對較小，在家用市場則不太受青睞。 所以廠商才為此而開發出 『NVMe』其名稱是『非揮發性記憶體控制介面規格 Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification』通訊協定。 此新協定終於定義出可以 100% 發揮 NAND 『平行運算』的高速能力，再利用現有的 PCIe 介面的高速特性，即可發揮 NAND 高達 3,400 MB/s 讀寫速度。 在車用電子應用中, 對於高品質serial NAND 的要求是要能夠在85°C 高溫下完成100次寫入/擦除 (Program/Erase cycles) , 並保存資料25年。

報導指出，NAND Flash價格揚升，主要受惠於PC用SSD（核心零件為NAND Flash）需求揚升，加上資料中心伺服器訂單增加，自今年初春，NAND Flash供需開始出現緊繃。 本網站使用 Cookie 及其他相關技術分析以確保使用者獲得最佳體驗，通過我們的網站，您確認並同意本網站的隱私權政策更新。 不過未來也將慢慢以 SSD 硬碟為主，原因不外乎速度快、成本越來越低，最重要還是耗能比傳統硬碟低，在這個越來越講求環保的時代著實是個優勢。

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反過來講SSD的壽命不等於NAND Flash的壽命，NAND Flash的壽命主要透過P/E cycle來表徵，SSD由多個Flash顆粒組成，透過碟片演算法，可有效發揮顆粒壽命。 鎧俠BG4容量有128 GB，256 GB，512 GB，1TB，鎧俠是第一家推出採用96層NAND的SSD廠商，BG4將成為第二款開始出貨的96層SSD。 鎧俠的BG系列是面向OEM市場的入門級NVMe SSD產品，在消費者中有著不小的關注度。

• 每个Block都是有寿命（Program/Erase Count，P/E值）的，他们的擦除次数是有限的。
• 建議目前 RAID, NAS, Server 建議還是安裝 SAS 傳統硬碟，應該是較『保險安全』方式。
• Flash Memory又叫做闪存，是一种非易失性存储器。
• 當資料從NAND讀出來時，若發生錯誤，控制器會透過校正碼更正資料。
• 英特尔傲腾技术将提供卓越性能，具体表现在低延迟、高服务质量、高耐用性、高吞吐率，适用于延迟要求苛刻的关键应用。
• 要開始使用，請按下下面的“接受”以顯示Cookie 管理面板。

NAND Flash的寿命类似“木桶原理”，取决于所有Block中的最小寿命。 如果拼命对某一块进行擦除，NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。 被动回收策略：当有写入请求的时候，首先判断当前可用空间大小与临界值大小的比较；如果空间足够，直接写入空闲空间；如果空间不够了，首先启用垃圾回收，再往空闲区域完成写入请求。 所以，映射表里面存储的内容是逻辑地址到物理地址的映射信息，利用逻辑地址查询映射表，找到对应的物理地址，再对实际存储单元做读写访问。 Flash Memory又叫做闪存，是一种非易失性存储器。

ssd nandflash: 威騰鎧俠成功開發 112 層堆疊 BiCS5 技術 3D NAND Flash

从生产出的QLC 新产品5210 ION SSD，到即将推出的大容量、高性能的96层3D NAND技术，美光一直在为市场提供解决方案，并在中国上海、西安等地都设有测试工厂致力于提供给市场更好的SSD解决方案。 2020年11月12日，美光宣布已批量出货全球首款176层3D ssd nandflash NAND闪存，一举刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的重大提升。 美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破，使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益，实现性能上的巨大提升。 SLC主要针对军工，企业级应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。 MLC主要针对消费级应用，容量高于SLC2倍，低成本，适合USB闪盘，手机，数码相机等储存卡，如今也被大量用于消费级固态硬盘上。 全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，即4bits/cell。

PCIe 採用四通道連接，讓資料傳輸比 SATA 快4倍，且省電。 使用 PCle ＋NVMe SSD，是目前追求極速唯一選擇。 和傳統硬碟外觀相同的 SSD 2.5”，也是用 SATA Interface 可以輕易取代傳統硬碟。 建議目前 RAID, NAS, Server 建議還是安裝 SAS 傳統硬碟，應該是較『保險安全』方式。 本文字数：2823阅读时间：15分钟前文链接：NAND基础物理特性NAND FLASH有什么特性？

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NAND Flash作為一種比較實用的固態硬碟儲存介質，有自己的一些物理特性。 NAND Flash的壽命不等於SSD的壽命，SSD盤可以透過多種技術手段從整體上提升SSD的壽命，透過不同的技術手段，SSD盤的壽命可以比NAND Flash壽命提升20%~2000%不等。 2020年11月12日，美光宣佈已批量出貨全球首款176層3D NAND快閃記憶體，一舉重新整理行業紀錄，實現快閃記憶體產品密度和效能上的重大提升。 美光全新的 176 層工藝與先進架構共同促成了此項重大突破，使資料中心、智慧邊緣平臺和移動裝置等一系列儲存應用得以受益，實現效能上的巨大提升。 PS：每Cell單元儲存資料越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，所以導致顆粒穩定性越差，壽命低，各有利弊。 Nand Flash的控制IC在台灣的廠商有群聯，慧榮，安國，鑫創，點序等。

2D結構的儲存單元僅佈置在晶片的XY平面中，因而使用2D快閃記憶體技術在同一晶圓中實現更高密度的唯一方法就是縮小製程工藝節點。 全稱是Quad-Level ssd nandflash Cell，四層式儲存單元，即4bits/cell。 QLC快閃記憶體顆粒擁有比TLC更高的儲存密度，同時成本上相比TLC更低，優勢就是可以將容量做的更大，成本壓縮得更低，劣勢就是壽命更短，理論擦寫次數僅150次。 SSD的效能不單取決於主控，快閃記憶體顆粒也會影響SSD的實際效能，並且快閃記憶體的質量也會影響SSD的速度、效能和使用壽命。

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這讓 Kingston 能夠以具競爭力的價格，提供各種 SSD 固態硬碟應用。 如果您有 Kingston USB 隨身碟或 SD 卡，代表您擁有裝有快閃記憶體的產品，也稱為 NAND 快閃記憶體。 過去五年內，NAND 快閃記憶體的銷售量在全球各地激增，而新產品 (如 SSD ssd nandflash 固態硬碟) 正大舉進軍企業運算裝置，從筆記型電腦、桌上型電腦、工作站到伺服器，無一不包。

這是最早出現市面的 SSD，當時是為了取代暢銷的傳統硬碟而設計，外型就是和一般 2.5”傳統硬碟完全相同，也是採用 SATA 介面，安裝和傳統硬碟相同，毫無困難，可以輕易取代。 再次上电后，需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中，只是丢掉了用户断电前正在操作的数据，无法更新。 另外，OP越大，垃圾回收就会越快，相应写放大会变小，所以读写性能就会越好；但用户能使用的空间会被缩小。

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不過技術更新隨著NAND Flash的19nm製程於2012年初進入量產，能夠在同樣大小的快閃記憶體空間內塞入倍增的容量；NAND Flash架構也從SLC到MLC、TLC、QLC；這兩項技術都進一步降低每百萬位元組的成本。 由於每個 DRAM 基本儲存單元的電路結構非常的簡單，所以功耗低、價格也較低。 這樣一來用低成本就能製造出大儲存容量的 DRAM 晶片。 缺點就是讀寫的速度慢（電容要充電放電），影響了 DRAM 的性能。

• 瞭解筆記型及桌上型電腦記憶體技術，並瞭解為何在選購記憶體時，Kingston 是最值得您信賴的理想選擇。
• 有 SSD 讀寫快速的優點，又有傳統硬碟的高容量可使用。
• NAND Flash的寿命不等于SSD的寿命，SSD盘可以通过多种技术手段从整体上提升SSD的寿命，通过不同的技术手段，SSD盘的寿命可以比NAND Flash寿命提升20%~2000%不等。
• 从三星NAND的TBW可以看到MLC、TLC和QLC的擦写次数/寿命。

因 SSD、伺服器需求揚升，提振 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）價格一年四個月來首揚。 不過市場預期 NAND Flash 漲勢恐是暫時性，最快可能明年轉趨下跌。 圖1所示, 相同製程下, NAND Flash每單元的面積是小於NOR Flash.

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但各原廠在設計方案上 的差別將會對其產出產生形成一定影響。 三星、SK海力士、鎧俠、閃迪已經相繼釋出最新100+層3D NAND產品。 隨著3D NAND技術的快速發展，QLC技術不斷成熟，QLC產品也已開始陸續出現，可以預見QLC將會取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣。 而且，隨著3D NAND單die容量不斷翻倍增長，這也將推動消費類SSD向4TB邁進，企業級SSD向8TB升級，QLC SSD將完成TLC SSD未完成的任務，逐漸取代HDD，這些都逐步的影響著NAND Flash市場。 合格的Flash Die原廠封裝工廠會根據需要封裝成eMMC、TSOP、BGA、LGA等產品，但封裝的時候也有不良，或者效能不達標，這些Flash顆粒會再次被過濾掉，透過嚴格的測試確保產品的品質。

為避免讀取干擾問題，快閃記憶體控制器通常會計算從上次抹除動作後的區塊讀取動作總次數。 ssd nandflash 當計數值超過所設定的目標值門檻時，受影響的區塊會被複製到一個新的區塊，然後將原區塊抹除後釋放到區塊回收區中。 若是快閃記憶體控制器沒有即時介入時讀取干擾錯誤就會發生，如果錯誤太多而無法被ECC機制修復時就會伴隨著可能的資料遺失。 其製造工藝上也做了最佳化，製造生產效率提升30%，後續基於該技術三星還將推出容量高達1Tb容量的V-NAND，新的QLC SSD搭載了32顆晶片，最高容量高達4TB。

ssd nandflash: SSD 固態硬碟的 5 個優點

（2）性能：预留空间的大小主要决定了SSD的性能，OP大，垃圾回收快，相应写放大小，读写性能就越好。 三大好处：减少待存储数量，节约存储空间；减小待存储数据翻转可能性，增加NAND Flash的寿命和减少能耗；获得较小NAND Flash的写放大，提高读写速度。 測試是我們致力於為您提供市面上最可靠產品之承諾的基礎。 NVMe 是專為 SSD 等快閃儲存設備所設計的協定，我們從 SATA SSD 和機械式硬碟中所使用的傳統 AHCI 標準邁向 NVMe。

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