intel10nm8大優勢

从此前的规划来看，+++所要实现的应该是晶体管性能较大程度的提升。 说个题外话，这张图中提到了backport（向前移植）。 意思是指以某一个节点做芯片设计，但在工艺延迟的情况下可考虑将其移植到旧版的++节点。

不过代与代之间+和++的传统不变（注意图中的10nm，有个+++），而且当代节点在技术上会部分借鉴上一代的++节点相关优化技术。 intel10nm 在2010年的投资者会议上，Intel预想10nm将在2015年到来，2017年就该上7nm了。 但现实是骨感的，后来Intel修正了计划，有份比较正式的修正版路线图提到2018年14nm工艺收尾，2019年进入10nm时代；并在随后两年更新10+和10++工艺，2021年让初代7nm工艺与10nm++工艺并存。

intel10nm: 单元库

就标准单元（Std Cell）的设计，供电通常是由 EDA 工具去搞定的，这肯定是比手动布置要快多了。 但在晶体管密度提升的情况下，Intel 就需要和 EDA 工具提供商合作，将电力输送应用到 block 级别，以及不同的单元排列。 前面提到 MOL 层还有个下层级，下层有单独的 contact，连接到晶体管之上的接合点（好像包含了前文提到的 gate contact）。 在体积缩减的过程里，会产生“肖特基势垒（Schottky barrier）”，也就是电阻增加。 但实际上，即便是这个公式也并不能真正彻底反映晶体管密度。 典型的比如 SRAM 单元，即处理器的 cache 部分，占到了 die 的最大一部分。

• 目前對於節點的命名（也就是我們常說的「幾奈米」）是以半導體上最小的零組件尺寸為基礎，雖然說就廣義上來說代表示技術演進的世代，但就算是這些零組件本身，也會因為結構和技術，而在性能上有著差異。
• 除了10SF之外，前文也提到Intel规划中还有个10nm Enhanced SuperFin。
• 对于fab而言，在同一代工艺节点内周期性更新是个传统。
• 由 Intel 3 再往後，Intel 便將進入「埃」時代。
• 规划中今年下半年要发布的第12代酷睿Alder Lake（以及面向服务器的Sapphire Rapids，还有独立出来的Xe GPU）则将采用再次迭代的10nm Enhanced SuperFin（10ESF）工艺。
• 所以 Intel 此前还表示，除了标晶体管密度之外，还应当标 SRAM 单元尺寸。

有关其中的第三点，gate pitch增加从直觉上来看，应该会引起对应单元的晶体管密度下降。 在14nm时代，14++的晶体管密度就低于14nm原本的工艺，属于常规操作（注意：晶体管并不是均匀分布的，要了解晶体管密度的概念，仍建议阅读本文的上篇）。 今年第11代酷睿Tiger Lake全面推向市场，实则已经属于上述10nm工艺的又一次迭代（而且极有可能在此期间内还存在内部迭代）。 从增加+号的直觉来看，在我们外人看来它应该属于10nm++，或者第三代10nm。 intel10nm 两个加号也在2020年的一段时间内被Intel官方钦定过，不过对于10nm后缀的加号数量在这一时期也出现过混乱，无论是媒体还是Intel自己。 对于fab而言，在同一代工艺节点内周期性更新是个传统。

intel10nm: 手機電視一齊唱　Apple Music 新增卡啦 OK 功能

Fin 数量不同，单元高度就不同；对于更高的性能而言，更多的 fin 就支持更高的驱动电流，即以功耗和面积为代价。 下面这张图是 WikiChip 呈现这三种库功耗与性能方面的关系的。 这三种单元库的密度自然也是不同的，Intel 列出的 100.8 MTr/mm²，指的其实是 HD 高密度库（单元高 272nm，8 fins）。 其他两种单元库的密度分别为：HP（高性能）单元库密度 80.61 MTr/mm²（单元高 340nm，10 fins）；UHP（超高性能）单元库晶体管密度 67.18 MTr/mm²（单元高408nm，12 fins）。 恰巧 Intel 也在 8 月的 Arch Day 2020 举办线上活动——是以闭门的形式。 会上的重点内容自然就是 Tiger Lake 处理器（Willow Cove 核心）还有 Xe 图形处理器了。

目前對於節點的命名（也就是我們常說的「幾奈米」）是以半導體上最小的零組件尺寸為基礎，雖然說就廣義上來說代表示技術演進的世代，但就算是這些零組件本身，也會因為結構和技術，而在性能上有著差異。 這使得 Intel 的 10nm 技術有著雖然與他廠 7nm intel10nm 類似的性能表現，但在紙面上看起來就是差了一個世代。 所以实际上更多人知道的第10代酷睿Ice Lake应用的那个10nm，已经是Intel第二代10nm了，前期Intel有将其称作10nm+的记录。 但2018年底的Architecture Day上，Intel默默把+号去掉，将其改称10nm。

intel10nm: Intel Sapphire Rapids-WS Xeon Workstation CPU Lineup Specs:

Intel的7nm芯片产品真正要等到2023年——这比起原计划还是晚了相当多的。 第 4 層就是 1mm Z-height 的 2 x 4GB LPDDR4X 記憶體。 intel10nm 不过这部分我们就放到下篇去说吧，感觉这篇文章的长度有点过长了——突然又觉得，就当代成熟的10nm来看，下篇大概才更有价值吧，这个上篇就算是个历史回顾了。

其中L1 cache最接近处理器核心，数据存取最快，容量也最小；接着是L2 cache，容量比L1 cache大很多，但速度会稍慢；L3是此类处理器的最后一级缓存系统（LLC），容量最大，但速度也最慢。 实际上，直到刚刚才发布的Tiger Lake-H45，才能感觉出Intel 10nm可能真正走出了14nm的阴影，CPU的高频、多核；芯片外围资源、产量基本都跟上了。 从Cannon Lake至今，伴随10nm走向成熟的，是Intel可能同时还在经历历史上最不如意的一个时间段。 不过在Intel对工艺路线的常规规划里，工艺的首次正经迭代，本来就可能在性能方面不及上代的++工艺。 比如Intel早年发布的上图中，左边这张图的纵轴代表晶体管性能，规划中的10nm初期其实就明显不及14++，甚至10+也只是相对持平。 一方面第10代酷睿移动处理器相当罕见地出现了两种版本，14nm和10nm并行（虽然8代也颇为奇葩）；另一方面，10nm版的10代酷睿处理器CPU核心频率只能达到4.0GHz附近——虽然架构令其IPC提升多达18%，但因频率拉跨抵消了这部分提升，实际性能也就没什么看头了。

intel10nm: Laptops With Intel’s Powerful Raptor Lake Mobile CPUs Will Be Coming In Early 2023, Roadmap Detailed

BKM更新表现在市场宣传中，在Intel这边就常见增加+号的形式。 即便是10nm工艺，Intel也花了好大的力气才令其在今年真正走向成熟——而且后文还会提到，严格来说10nm历经了绝对不止两代的更新；7nm的延后也已经众所周知了。 Intel的节点命名方式不像台积电和三星那么激进（还有最近那个颇具三星特色的IBM 2nm…）。 前天Intel发布了11代酷睿移动标压版处理器Tiger Lake-H45，当属近两年来在AMD面前真正扬眉吐气了一把。 今年的11代酷睿移动版都用上了Intel最新的10nm SuperFin制造工艺。 剛剛才知道 10nm CPU 突然於今年推出市場，介紹 7nm 可能有點言之過早。

Fin 宽度则从 8nm 降至 7nm——看看，在 10nm 工艺下其实是有某个参数在 10nm 以下的。 Intel 工艺节点密度，数据来自 AnandTechIEDM 2018 大会上，Intel 针对更早的工艺，又给出了一些不同的晶体管密度数字。 应该就是针对老版工艺，重新采用 Intel 提出的这种计算方法。

intel10nm: 【場料】三防最高速外置登場　SanDisk 推出 TB3+USB-C SSD

鉴于Intel极度依赖尖端工艺——这一点和台积电和三星还不大一样，制造工艺的落后致企业内部发生震荡。 IDM 2.0计划主要包括1.仍坚持自主制造不动摇；2.与外部foundry合作；3.自家foundry提供更“认真的”代工服务。 加上如今的x86阵营整体面临前所未有的冲击，摆在Intel现任CEO Pat Gelsinger面前的这条路，可比当年看来也相当不妙的奔腾4时代要艰险多了。

Intel理想中对工艺迭代的节奏规划很明了：每2-3年一代工艺（一个节点），且在这2-3年里推工艺改良，所以会有个+和++。 在每一层布局金属线，与打造 fin 和沟槽什么的还是不一样的。 每个单元的电桩（power stub）通常在角落位置，通过 Metal 1 层，把单元连接到 Metal 2 层。 所以电桩原本是与单元处在同一个级别的，也就是所谓的 cell intel10nm level 。

intel10nm: Intel 最新 10nm 技術改名為「Intel 7」，新製程路線圖看向「埃」時代

一言蔽之，单就超高密度单元的晶体管密度而言，Intel 10nm与台积电7nm可认为是同代工艺。 上篇已经详述了Intel初代10nm工艺是怎么回事，除了建议阅读上篇外，此前我们还撰写过有关台积电、三星和7nm和5nm的文章，都可作为本文的前序文章做阅读。 因此本文将不再针对晶体管制造工艺的某些基础知识做科普。 因此 Ice Lake 才算是首批大量生產的 10nm CPU ，象徵 Intel 終於脫離 14nm++++ 魔咒，邁向 10nm 新時代。 據 Intel 描述為筆電之用，估計稱為 Ice Lake-U 系列，會在下個月（ 6 月）開始出貨給 intel10nm OEM 筆電廠商，到年末 11 – 12 月就會看到 Ice Lake-U 的筆電開售。