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目前半導體產業以矽的發展最為成熟，然而當代的科技產品逐漸轉向高頻率、高速度、輕量與小體積，導致Si半導體在物理特性上已經達到極限，很難再有所突破。 氮化鎵並非橫空出世，它早在1993年便開始應用於LED產業，GaN的穩定性高，熔點高達1700度，相較於Si，能夠忍耐更高的溫度與電壓。 而在穩定性與耐高溫、耐高壓的優勢之外，GaN同樣擁有良好的導電性、導熱性。 這些特性讓GaN被應用在變壓器和充電器的領域，使用GaN元件的充電器能夠同時應用在需要較大電壓的筆記型電腦、平板，也能夠同時用於較小電壓的手機和手錶充電。 GaN的物理特性讓它就算在高電壓的情況下也不容易發熱，因此100W以上的快速充電模式也因應而生，能有效縮短充電的時間。
- 而在穩定性與耐高溫、耐高壓的優勢之外，GaN同樣擁有良好的導電性、導熱性。
- 這些特性讓GaN被應用在變壓器和充電器的領域，使用GaN元件的充電器能夠同時應用在需要較大電壓的筆記型電腦、平板，也能夠同時用於較小電壓的手機和手錶充電。
- 氮化鎵並非橫空出世，它早在1993年便開始應用於LED產業，GaN的穩定性高，熔點高達1700度，相較於Si，能夠忍耐更高的溫度與電壓。
- 多重保護可全方位保障使用安全，提升效率且充電更快速。
- 最後，在消費性電子產品的領域，GaN充電器顯然成為了未來的趨勢，各大廠牌例如小米、Anker等都以GaN為高階充電器材料，搶攻GaN市場藍海。
現代生活和科技緊密結合，然而隨著時代變遷，不僅是訊息的傳遞需求大幅增加，產品也開始追求更快的速度、更小的尺寸、以及更好的效率。 近期，傳統的矽半導體則因為物理限制的關係，逐漸無法符合市場需求，於是第三代半導體氮化鎵(GaN，鎵音同家)因勢興起，開始應用在快速充電產品、電動車領域。 到底氮化鎵是什麼，物理特性有那些優勢，目前有哪些應用範圍，未來又會有怎麼樣的發展呢？ 早期因為GaN和傳統的半導體Si特性不同，開發初期遇到許多瓶頸，直到近期才應用GaN-on-Si基板大幅降低了製作成本，成熟的生態鏈也讓商品價格逐漸降低。 gan gan 不過，雖然GaN和SiC同樣是第三代半導體，應用範圍有所重疊，但因為技術和優勢的關係，兩者的適用領域也會有所區隔。 例如，相較於GaN以900V以下的應用為主，SiC將以1200V以上的更高電壓、更大電流為主要市場，例如高階的電動車、太陽能，還有大型建設例如離岸風電、公共運輸領域。
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汽車產業位於GaN和SiC的應用邊界中，因為SiC在車載領域、可靠性上更具有優勢，因此部分車場會選擇使用SiC作為材料，例如特斯拉的電動車就是採用SiC元件。 第三代半導體包括GaN和SiC，GaN的優勢在於電壓40V至1200V的產品，目前主要應用於900V以下的領域，包括汽車、電信、特定的消費電子產品所需要的100V至900V電壓範圍。 在工業方面，GaN也適合應用在射頻領域，和此有關的5G射頻設備、軍用雷達、光達Lidar也是其應用方向之一。 gan 此外，相較於矽基元件，GaN擁有更高的電子密度和電子速度，元件的切換速度是矽基元件的10倍以上，因此GaN相較於Si更適合高頻率、高效率的電子產品，包括現代的5G市場。
多重保護可全方位保障使用安全，提升效率且充電更快速。 套裝內含一條搭載 E-Marker 晶片、支援最大 5A 電流且充電速度更快的小米 Type-C to Type-C 傳輸線。
gan: GaN
而在充電器商品上，較高的電子密度讓GaN能以更小的空間處理更多電力，進而達到縮小商品體積與輕量化的成果。 近期，GaN在汽車領域的發展也越來越熱絡，例如德州儀器於2020年底推出車用電晶體GaN FET，至於台積電也已宣布將與ST意法半導體合作，加速GaN製程技術的開發，希望能在消費性電子產品之外也開始發展如汽車電氣化等未來趨勢。 Type-C 連接埠單獨輸出時功率可達 65W，USB-A 連接埠單獨輸出時功率可達 18W，兩個連接埠可同時為電子裝置提供快速充電功能。 Type-C 連接埠提供最高 65W 的輸出功率，可為新款 MacBook Pro 和小米筆記型電腦等大功率裝置充電。 具有超強的導熱效率、耐高溫和耐酸鹼等特性，運用在充電器上不僅可做到小體積和輕量化，在充電功率轉換上相比非 GaN 的同功率充電器更具優勢。
最後，在消費性電子產品的領域，GaN充電器顯然成為了未來的趨勢，各大廠牌例如小米、Anker等都以GaN為高階充電器材料，搶攻GaN市場藍海。 GaN具備溫度低、效率高、功率高的特色，將來消費者只需要1顆輕便的充電器就能夠替手上的所有裝置充電，並且不用擔心充電器過熱、充電速度過慢的問題。 ▲GaN的應用範圍包括LED照明、5G基地台、充電器等。
gan: Benefits of GaN power devices
然而SiC的發展更是阻礙重重，SiC基板製造困難，對於設備和製程有極高的要求，且生長速度緩慢、晶體的瑕疵機率高。 再加上SiC因為物理特性的緣故，加工不易，導致SiC的價格一直需高不下，就算應用層面受到看好，在現有的技術下也難以大量生產。 gan 採用進口晶片解決方案，智慧識別連接裝置的電流，以保護電池免於受損。