flash 記憶體6大伏位

舛岡博士在1984年的加州舊金山IEEE國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting, IEDM）上發表了這項發明。 Intel看到了這項發明的巨大潛力，並於1988年推出第一款商業性的NOR Flash晶片。 Kingston 所使用的 NAND 快閃記憶體，具備符合 SSD 固態硬碟工作負荷的耐用性等級。 這讓 Kingston 能夠以具競爭力的價格，提供各種 SSD 固態硬碟應用。

每個 DRAM 基本儲存單元的電路結構非常的簡單，所以功耗低、價格也較低。 缺點就是讀寫的速度慢（電容要充電、放電），影響了 DRAM 的性能。 讓我們把一個 DRAM 晶片的內部結構剖開看看，會看到一個儲存陣列（Memorry Array）。 CPU 會給這個儲存陣列「行地址」和「列地址」，就可以選出一個「儲存單元」。 STM32晶片內部有一個Flash記憶體，主要用於儲存我們所打的程式，我們在軟體上打好程式編譯完成後燒入的程式都存在這，由於FLASH記憶體的內容在掉電後不會丟失，晶片重新上電重定後，內核可從內部FLASH 中載入代碼並運行。 數位相機、大姆哥等NAND Flash主要用途產品的NAND Flash使用總容量04年將持續較03年大增1.5倍。

flash 記憶體: SPANSION S29AL016D70TFI01 16Mb 70ns 48-pin TSOP 快閃記憶體 FLASH

FLASH快閃記憶體的損耗在VMware以及Hyper-V環境中備受關懷，類似于快取和資料去重這樣的技術將會對其持久性造成負面影響。 當討論軟體支持的時候,應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁碟仿真和快閃記憶體管理演算法的軟體,包括性能最佳化。 高速快取可以分布在整個集群，從而對多種類型的作業系統提供快可靠的高速快取副本。 這種高速快取副本由由Flash快閃記憶體或者記憶體組成，將共享整個群集的快取。 NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。

因此Flash記憶體快取應用能發揮加速效果的場合是有限制的，通常是小區塊、隨機存取為主的環境。 而當快取緩衝區域增加為原先的十倍甚至數十倍後，快取命中率也可望有相當程度的提高，從而達到改善I/O效能的效果。 當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。 位反轉的問題更多見于NAND快閃記憶體,NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候,同時使用EDC/ECC演算法。

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潘健成回憶，群聯從1998年開始接觸NAND Flash，當時東芝的Flash是2MB，價格為50美元，一開始是應用在錄音領域。 到了1999年，日本卡西歐推出第一款數位相機，放入2MB的Flash 記憶體，要價50-70美元。 儘管2007年群聯電子的業績達到新台幣200億元的目標，但今年受到景氣影響，要發展出去年的成績似乎相當困難。 不過，在USB Flash控制IC的市場占有率方面，群聯電子依然是排名世界第一。 對此，潘健成表示，希望未來五年，在其他領域，群聯也都能做到第一名。

潘健成表示，如果你能夠處理得好，相對地，才能比別人多一點獲利空間，這就是這個行業的現實。 此外，群聯電子剛成立時所使用的Flash製程是0.16及 0.13微米，目前東芝的製程最先進的是43奈米；短短七年的時間，製程技術提升得很快。 過去在晶圓廠裡，都是由DRAM代工來領導製程，但從2005年之後，三星的策略改變，改用Flash來領導製程。

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然而，NOR型快閃記憶體當成唯讀記憶體使用時的讀取次數在預期上通常遠大於寫入次數，所以其內含的寫入電路是相當慢的，並且只提供區塊抹除功能。 另一方面，使用快閃記憶體的應用，如取代硬碟，無需字元組層級的位址線，因為字元組層級的位址線只會增加無謂的複雜度與成本。 讀取與寫入動作可以以「頁」為單位偏移量進行，抹除動作只能以「區塊」為單位偏移量進行。

這項技術除了改寫資訊儲存的技術，還創造了包括手機、筆記型電腦、數位相機、MP3、PDA和GPS等各種新的應用，真正為數位時代揭開序幕。 快閃記憶體包含NOR、NAND和支援安全加密的TrustME 系列快閃記憶體。 華邦電子是全球最大的Serial Flash供應商，在SpiFlash 產品系列，容量從512Kb到1Gb，電壓支援1.8V與3V，提供8-pin、16-pin SOIC和24-ball BGA 的封裝，並可達到133MHz的操作頻率。 不過，儘管伺服器需求具有彈性，很難說都會維持樂觀，因為目前一些問題正困擾該市場需求，例如部分 IC 零組件仍處於缺料狀態等，且若發生全球經濟衰退，即便伺服器客戶也將不得不經歷庫存調整，這將影響公司伺服器記憶體需求，整體而言，現階段伺服器市場的不確定性很高。

flash 記憶體: 固態硬碟測試概述

消費性快閃記憶體儲存裝置一般使用2的整數次冪（2、4、8等等）來標示可使用的容量大小，而最終以百萬位元組（MB）或十億位元組（GB）來表示，例如：512MB，8GB。 然而如欲取代傳統硬碟（HDD）的固態硬碟（SSD）裝置則是使用10的整數倍數來表示容量大小，如1,000,000位元組與1,000,000,000位元組，這是因為傳統硬碟標示容量大小即是使用10進制詞頭。 因此，固態硬碟上標示”64GB”，則表示實際上至少有64×1,0003位元組（64GB），通常更大一些。 大部分使用者則會感到容量稍少於他們的檔案，這是因為主控的韌體資訊和壞塊使用了一些空間。 同時，一些作業系統容量標記的標記與生產商的標記方式不同也造成了此問題（混淆MB和MiB）。 由於NOR Flash沒有原生壞區管理，所以一旦儲存區塊發生毀損，軟體或驅動程式必須接手這個問題，否則可能會導致裝置發生異常。

• 至於桌面軟體當前還沒有提供圖形操作界面，必須直接輸入命令列使用，難度方面可能會較高，Ruffle 網站有提供簡單易懂的說明，也可以自行研究。
• 一些更大容量的固態硬碟，根據容量大小，能被使用來當作整個電腦的備份硬碟。
• RAM 是 Random Access Memory 的縮寫，意思是 CPU 能夠不用按照位址的順序，而隨機指定記憶體位址來讀取或寫入資料。
• ST-Link燒錄器就是將程式轉成.hex檔燒入進Flash，若內部Flash存儲了程式後還有剩餘的空間，我們可以把它像外部SPI-Flash 那樣利用起來，存儲一些程式運行時產生的需要掉電保存的資料。

因為兩者特性不同，NOR Flash主要用在手機或主機板等產品上，所以又稱為Code Flash。 至於NAND Flash因為具有高密度和高寫入速度，廣泛應用於多媒體資料儲存，目前常見用於MP3及數位相機的Flash卡，幾乎都是NAND Flash居多。 DRAM 1 位元使用 1 個電晶體，需要定期補充電源，記憶體內資料才不會流失；SRAM 1 位元則會用到 6 個電晶體，且不需要週期性地補充電源。 SRAM 相較於 DRAM 速度較快，不過價格也比較貴，兩者各自有不同的應用領域 —— DRAM 一般用在主記憶體，而 SRAM 一般被採用在快取記憶體 （ flash 記憶體 Cache Memory ）上。 美光表示，儲存密度提升還不是全新 232 層堆疊 3D NAND Flash 唯一優勢，因為其除了擁有業界超高堆疊層數，還擁有業界最快的傳輸速度。

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華邦電子使用46nm製程所開發的高品質SLC serial NAND, 是經過嚴格的篩選和測試程序, 完全符合車用電子的嚴格要求。 如圖3所示, 在各種不同溫度的測試條件下, 依然保留優異的資料儲存性能, 可與在65nm製程(及包含以下)NOR Flash相媲美。 ，因為固態硬碟（SSD）的資料還有機會救援，如果一執行有可能會導致資料或目錄異常，原資料夾的名稱、檔案的名稱皆異常甚至變為亂碼，更嚴重的情況是檔案架構（File System）損壞，導致固態硬碟（SSD）內的資料無法恢復。 ，市面也會常見名詞SATA、mSATA 、PCIe、M.2…等，這些是指SSD的傳輸介面，會影響傳輸速度，以下更深入介紹並讓使用者更瞭解固態硬碟（SSD）。 ，SSD與傳統式硬碟（HDD）相比較，除了價格比較高、容量尚未能突破傳統硬碟之外，但是讀寫速度快這一點就已經獲得各大廠商和使用者青睞。 產業面：旺宏電子股份有限公司，成立於1989年12月9日，主要生產非揮發型記憶體，為全世界最大的ROM廠商，也是台灣最大的NOR Flash廠商。

當LED閃爍的時候，它表示快閃記憶體盤正在資料傳輸過程中。 理論上一台電腦可同時接127個快閃記憶體盤，但由于驅動器英文字母的排序原因 以及現有的驅動器需佔用幾個英文字母，故快閃記憶體盤最多隻可以接23個(除開 A、B、C) 且需要USB HUB的協助。 這是指資料傳輸的速度還有抗震度來說(快閃記憶體不存在抗震)。

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從容量上講，快閃記憶體盤的容量從16MB到64GB可選，突破了軟碟機1.44MB的局限性。 從讀寫速度上講，快閃記憶體盤採用USB接口，讀寫速度比軟碟高許多。 從穩定性上講，快閃記憶體盤沒有機械讀寫裝置，避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。 部分款式快閃記憶體盤具有加密等功能，令使用者使用更具個性化。 “優盤”是快閃記憶體走進日常生活的最明顯寫照，其實早在隨身碟之前，快閃記憶體已經出現在許多電子產品之中。

• 闪存的寿命通常是几千次P/E，而RAM的寿命几乎是无尽的P/E次数，闪存寿命耗尽有可能会导致数据丢失，系统崩溃。
• 近兩個月以來各產品價格皆出現短多漲多回檔、報價緩步下跌現象。
• 那麼, 在需要高可靠性的應用中, “高品質” 的Flash每個cell所需的最低電子數是多少？
• 讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。
• 早在1960年代，由王安博士所發明的磁圈記憶體，是整個電腦記憶體的大宗；在當時，想要不用磁圈，而改用半導體來做記憶體，普遍被認為幾乎是不可能的。

PS：每Cell單元儲存資料越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，所以導致顆粒穩定性越差，壽命低，各有利弊。 寫入資料時透過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，透過這樣的方式，便可儲存1個資訊單元，即1bit/cell，速度快壽命最長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。 它由日立公司于1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。 NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的儲存與移除處理的速度也相對較快。 NAND的存儲單元隻有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。 鑒于NAND出色的表現，它常常被套用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。

flash 記憶體: 記憶體與儲存裝置之間有什麼差異？

中國武漢新芯的記憶體基地已在 2016 年 3 月底動土，預計 2018 年建設完成，月產能約 20 萬片。 官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。 不過實際技術上對 3D NAND Flash 的製程工藝也仍是挺要求的（雖然能堆電晶體，但電晶體製程也還是越小越好呀）。 當製程遭遇瓶頸時，廠商們開始另闢蹊徑，也就是轉為開發 3D Flash。 把現在的 2D Flash 轉 3D，相當於把建築從平房蓋成高樓。 由此可見，就算製程一路挺進，良率也難以跟上，因此每片晶圓能產出的晶粒數目並不一定會隨著晶片面積變更小而提升。

NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 FLASH快閃記憶體是一種記憶體技術，與RAM不同，在斷電時它仍舊可以保留所存儲的信息。 盡管FLASH快閃記憶體在執行讀寫操作時並不像RAM那樣快，但性能遠遠高于典型的硬碟。

flash 記憶體: 快閃記憶體檔案系統

也就是說， PC 廠會和記憶體廠商簽署合約、取得長期穩定的供貨來源，而價格就依照議定的合約走。 Dell、HP 等個人電腦品牌廠會再向記憶體模組廠商購買模組；若是 DRAM 製造原廠也有自己的記憶體模組廠的話，個人電腦廠商有些也會直接向原廠購買。 DRAM 模組業者會向 DRAM 生產商購買 DRAM 晶粒（Die，意指剛從晶圓上切割下來、尚未封裝的晶片），再發給封測廠代工封裝。

這區區 8 個 I/O 連線埠隻能以信號輪流傳送的方式完成資料的傳送，速度要比 NOR 快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。 再加上 NAND 快閃記憶體的邏輯為電子盤模組結構，內部不存在專門的存儲控製器，一旦出現資料壞塊將無法修，可靠性較 NOR 快閃記憶體要差。 Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。 緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且像磁碟一樣可以通過接口輕松升級。

投資策略為順勢交易，綜觀分析產業面，再從基本面選股與技術、籌碼面操作。 而2007年11月，2GB的NAND Flash是16美元，一年後的今天，則降到1.6美元，價格只剩去年的10%。 潘健成強調，「在這個行業，要獲利是非常困難的，」要獲利得靠前瞻技術，還要有微利管理能力。

另一項快閃記憶體的限制是它有抹寫循環的次數限制（大多商業性SLC快閃記憶體保證“0”區有十萬次的抹寫能力，但因为制造精度问题其他區塊不保證，有可能还会出现完全无法使用的出厂坏块）。 以上資料只是大概的標稱數值，實際寫入壽命與不同廠商的產品技術及定位有關。 使用更細微化的製程，可以提高產品讀寫效能和容量，但同時在寫入壽命方面可能會面臨更大的挑戰。 使用如記憶損耗調節及memory over-provisioning的特定演算法及設計範例，可以用來調節儲存系統的續航率來符合特定的需求。 損耗平衡是快閃記憶體產品使用壽命的必要保證，在USB隨身碟和固態硬碟等產品中，均有相關支援。

巨觀量子隧道效應確立了微電子器件進一步微型化的極限，當微電子器件進一步微型化時必須要考慮上述的量子效應。 例如，在製造半導體積體電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而穿透絕緣層，使器件無法正常工作。 因此，巨觀量子隧道效應已成為微電子學、光電子學中的重要理論。 一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在一個關鍵檔案上,這個小小的故障可能導致系統停機。 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。

外媒《9to5Mac》、《IT之家》等報導，蘋果歷代手機RAM最大不超過6GB，相較競爭對手安卓動輒12GB、16GB的配置，iPhone靠同時製造硬體和軟體，並精確微調其設備以盡可能高效和強大地執行各項工序，因此取勝。 創見ESD380C行動固態硬碟搭載USB 3.2 Gen 2×2傳輸介面，創造史無前例的傳輸速度。 輕巧的外觀可儲存高達4TB的資料，無疑是行動儲存的最佳選擇。

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群聯電子在2001年5月，推出全球第一顆USB Flash 控制晶片之後，造成2003年Flash首度大缺貨，時間長達8-10個月之久。 從1967年施敏發表NVSM以來，無疑地已對人類生活造成深遠的影響，相關的衍生應用也快速將人們的生活帶進數位時代。 過去四年，全世界已經生產超過220億個NVSM產品；預估到了2011年時，全球的NVSM產品將更增加到740億個，平均每個人身上都會用上10個左右的NVSM產品。 而「非揮發性記憶體NVSM」一旦遇上停電，並不會致使資料因此揮發掉，衍生漏失資料的遺憾，快閃記憶體Flash即屬於此類。 對此，交通大學榮譽講座教授施敏特別舉了三個例子，說明電子工業裡的重要創新技術。

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，置放在匹配腳位的設備讀取、分析，工程師再進行人工組合檔案架構，此種情況的資料救援方法困難度非常高，因為將晶片讀取、分析後，需要有相同控制晶片（Controller）的韌體（Firmware）才能組合，在修復固態硬碟（SSD）資料救援的工作天數比較長。 例如，2 bit per cell的MLC最大的挑戰就是可靠度不夠好，所以作為NAND Flash控制IC關鍵技術之一，可偵測並改正NAND Flash資料讀取錯誤的ECC（錯誤矯正）技術要非常地強。 目前群聯電子已經走到54bit ECC，很快的時間內要走到100bit，相對地開發成本非常高。 而且，控制IC在Flash應用產品的總成本可能只有1%或3%，但責任卻很大。

flash 記憶體: 產品應用

序列介面快閃記憶體是一種使用序列式介面（通常使用序列周邊介面匯流排（SPI））來循序存取資料內容，小型且低功率的快閃記憶體。 flash 記憶體 flash 記憶體 當其使用於嵌入式系統上時，序列式快閃記憶體比平行式快閃記憶體在印刷電路板上所需的連接線數要少得多；因為序列式介面可以一次同時傳送與接受資料的一個位元，這使得序列式快閃記憶體具有減少在印刷電路板上所占面積、耗電量及整體系統成本的優勢。 NOR型快閃記憶體面世後，成為比現有的EPROM與EEPROM記憶體更經濟、更方便的複寫型唯讀記憶體。

快閃記憶體的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。 柵極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。 採用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裡的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裡，直到你再次倒入或倒出，所以快閃記憶體具有記憶能力。 當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。 位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體,NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候,同時使用EDC/ECC算法。 NAND讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。